| Número de pieza | SQM120N02-1M3L_GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 290nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14500pF @ 10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 375W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-263 (D²Pak) |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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SQM120N02-1M3L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 120A TO263 | Detalles |
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SQM120N04-1M7_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | Detalles |
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SQM120N10-3M8_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | Detalles |
