• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › SQM120N03-1M5L_GE3
SQM120N03-1M5L_GE3

SQM120N03-1M5L_GE3 - Vishay Siliconix

品番
SQM120N03-1M5L_GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 120A TO-263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SQM120N03-1M5L_GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
12620 pcs
参考価格
USD 2.0694/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください SQM120N03-1M5L_GE3

SQM120N03-1M5L_GE3 詳細な説明

品番 SQM120N03-1M5L_GE3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 120A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 270nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 15605pF @ 15V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 375W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 1.5 mOhm @ 30A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-263
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 -
原産国 -

関連製品 SQM120N03-1M5L_GE3

画像 品番 メーカー 説明 見る
SQM120N02-1M3L_GE3 SQM120N02-1M3L_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 120A TO263 詳細
SQM120N03-1M5L_GE3 SQM120N03-1M5L_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 120A TO-263 詳細
SQM120N04-1M4L_GE3 SQM120N04-1M4L_GE3 Vishay Siliconix N-CHANNEL 40-V D-S 175C MOSFET 詳細
SQM120N04-1M7L_GE3 SQM120N04-1M7L_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 120A TO263 詳細
SQM120N04-1M7_GE3 SQM120N04-1M7_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 120A TO263 詳細
SQM120N04-1M9_GE3 SQM120N04-1M9_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 120A TO263 詳細
SQM120N06-06_GE3 SQM120N06-06_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 120A TO263 詳細
SQM120N06-3M5L_GE3 SQM120N06-3M5L_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 詳細
SQM120N10-09_GE3 SQM120N10-09_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 120A TO263 詳細
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 120A TO263 詳細