SQM100N02-3M5L_GE3

SQM100N02-3M5L_GE3 - Vishay Siliconix

品番
SQM100N02-3M5L_GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET N-CH 20V 100A TO263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SQM100N02-3M5L_GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
129190 pcs
参考価格
USD 1.27448/pcs
私達の価格
メールで送信:[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください SQM100N02-3M5L_GE3

SQM100N02-3M5L_GE3 詳細な説明

品番 SQM100N02-3M5L_GE3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 110nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5500pF @ 10V
FET機能 -
消費電力(最大) 150W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-263 (D²Pak)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 -
原産国 -

関連製品 SQM100N02-3M5L_GE3