SQM100N02-3M5L_GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte: SQM100N02-3M5L_GE3
fabbricante: Vishay Siliconix
Breve descrizione: MOSFET N-CH 20V 100A TO263
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data: New
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Numero di parte	SQM100N02-3M5L_GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5500pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263 (D²Pak)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SQM100N02-3M5L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 100A TO263	Dettagli
SQM100N04-2M7_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 100A TO-263	Dettagli
SQM100N10-10_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 100A TO-263	Dettagli
SQM100P10-19L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 100V 93A TO263	Dettagli