SQM100N02-3M5L_GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SQM100N02-3M5L_GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5500pF @ 10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-263 (D²Pak)
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SQM100N02-3M5L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 100A TO263	Einzelheiten
SQM100N04-2M7_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 100A TO-263	Einzelheiten
SQM100N10-10_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 100A TO-263	Einzelheiten
SQM100P10-19L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 100V 93A TO263	Einzelheiten