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SQJ860EP-T1_GE3

SQJ860EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

品番: SQJ860EP-T1_GE3
メーカー: Vishay Siliconix
簡単な説明: MOSFET N-CH 40V 60A SO8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SQJ860EP-T1_GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 72825 pcs
参考価格: USD 0.3541/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SQJ860EP-T1_GE3 詳細な説明

品番	SQJ860EP-T1_GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	40V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	60A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	55nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2700pF @ 25V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	48W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	6 mOhm @ 10A, 10V
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース	PowerPAK® SO-8
重量	-
原産国	-

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