SQJ860EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SQJ860EP-T1_GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® SO-8
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	SQJ860EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 60A SO8	Dettagli
	SQJ868EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL	Dettagli