SQJ860EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SQJ860EP-T1_GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 40V 60A SO8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Precio de referencia: USD 0.3541/pcs
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Número de pieza	SQJ860EP-T1_GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	60A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Paquete / caja	PowerPAK® SO-8
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SQJ860EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 60A SO8	Detalles
	SQJ868EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL	Detalles