| 品番 | SI8808DB-T2-E1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 1.5V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 900mV @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 10nC @ 8V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 330pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 500mW (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 95 mOhm @ 1A, 4.5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-Microfoot |
| パッケージ/ケース | 4-UFBGA |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
 |
SI8800EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT | 詳細 |
 |
SI8802DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V MICROFOOT | 詳細 |
|
SI8805EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V MICROFOOT | 詳細 |
|
SI8806DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V MICROFOOT | 詳細 |
|
SI8808DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V MICROFOOT | 詳細 |
 |
SI8809EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT | 詳細 |
