品番 | SI8805EDB-T2-E1 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 8V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | - |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 1.2V, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 700mV @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 10nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
Vgs(最大) | ±5V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 500mW (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 68 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 4-Microfoot |
パッケージ/ケース | 4-XFBGA |
重量 | - |
原産国 | - |