品番 | SI1913EDH-T1-E3 |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | 2 P-Channel (Dual) |
FET機能 | Logic Level Gate |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 880mA |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 490 mOhm @ 880mA, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 450mV @ 100µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
電力 - 最大 | 570mW |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-6 (SOT-363) |
重量 | - |
原産国 | - |