SI1913EDH-T1-E3

SI1913EDH-T1-E3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SI1913EDH-T1-E3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
Code de date
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3564 pcs
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SI1913EDH-T1-E3 Description détaillée

Numéro d'article SI1913EDH-T1-E3
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 880mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 490 mOhm @ 880mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 570mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SC-70-6 (SOT-363)
Poids -
Pays d'origine -

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