Número de pieza | SI1913EDH-T1-E3 |
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Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 880mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 490 mOhm @ 880mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 100µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potencia - Max | 570mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete de dispositivo del proveedor | SC-70-6 (SOT-363) |
Peso | - |
País de origen | - |