| 品番 | IRLD120PBF |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.3A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4V, 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 12nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 490pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.3W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 270 mOhm @ 780mA, 5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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IRLD014 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP | 詳細 |
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IRLD014PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP | 詳細 |
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IRLD024 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP | 詳細 |
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IRLD024PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP | 詳細 |
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IRLD110 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP | 詳細 |
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IRLD110PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP | 詳細 |
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IRLD120 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP | 詳細 |
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IRLD120PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP | 詳細 |
