IRLD120PBF detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
IRLD120PBF |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
1.3A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
4V, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
12nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
490pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±10V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
1.3W (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
270 mOhm @ 780mA, 5V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Lieferantengerätepaket |
4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Paket / Fall |
4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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