IRLD014PBF detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
IRLD014PBF |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
1.7A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
4V, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
8.4nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
400pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±10V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
1.3W (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
200 mOhm @ 1A, 5V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Lieferantengerätepaket |
4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Paket / Fall |
4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR IRLD014PBF