IRLD014PBF

IRLD014PBF - Vishay Siliconix

Artikelnummer
IRLD014PBF
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
18352 pcs
Referenzpreis
USD 0.95/pcs
Unser Preis
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IRLD014PBF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IRLD014PBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
Vgs (Max) ±10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.3W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 1A, 5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paket / Fall 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Gewicht -
Ursprungsland -

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