品番 | IRLD120 |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.3A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4V, 5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 12nC @ 5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 490pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±10V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1.3W (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 270 mOhm @ 780mA, 5V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
重量 | - |
原産国 | - |