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2N7002-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番: 2N7002-T1-GE3
メーカー: Vishay Siliconix
簡単な説明: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: 2N7002-T1-GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 167540 pcs
参考価格: USD 0.1535/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

2N7002-T1-GE3 詳細な説明

品番	2N7002-T1-GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	115mA (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	-
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	50pF @ 25V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	200mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	7.5 Ohm @ 500mA, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	TO-236
パッケージ/ケース	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
重量	-
原産国	-

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