TPH6R004PL,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

品番	TPH6R004PL,LQ
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	40V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	87A (Ta), 49A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	6 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.4V @ 200µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	30nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2700pF @ 20V
FET機能	-
消費電力（最大）	1.8W (Ta), 81W (Tc)
動作温度	175°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
TPH6R003NL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 30V 38A 8SOP	詳細
TPH6R004PL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	詳細
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