TPH6R004PL,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TPH6R004PL,LQ
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	87A (Ta), 49A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.8W (Ta), 81W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-SOP Advance (5x5)
Paquet / cas	8-PowerVDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TPH6R003NL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 30V 38A 8SOP	Détails
TPH6R004PL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Détails
TPH6R30ANL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Détails