TPH6R004PL,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TPH6R004PL,LQ
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	87A (Ta), 49A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 200µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.8W (Ta), 81W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SOP Advance (5x5)
Paket / Fall	8-PowerVDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TPH6R003NL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 30V 38A 8SOP	Einzelheiten
TPH6R004PL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Einzelheiten
TPH6R30ANL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Einzelheiten