日本语
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

TPH5R906NH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: TPH5R906NH,L1Q
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: TPH5R906NH,L1Q PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 25000 pcs
参考価格: USD 0.7222/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

TPH5R906NH,L1Q 詳細な説明

品番	TPH5R906NH,L1Q
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	28A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 300µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	38nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	3100pF @ 30V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	5.9 mOhm @ 14A, 10V
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
重量	-
原産国	-

関連製品 TPH5R906NH,L1Q