TPH5R906NH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TPH5R906NH,L1Q
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	28A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3100pF @ 30V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.9 mOhm @ 14A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Peso	-
Paese d'origine	-