TPH5R906NH,L1Q

TPH5R906NH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TPH5R906NH,L1Q
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
25000 pcs
Referenzpreis
USD 0.7222/pcs
Unser Preis
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TPH5R906NH,L1Q detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TPH5R906NH,L1Q
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 28A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 300µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5.9 mOhm @ 14A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP Advance (5x5)
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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