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TPH4R008NH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: TPH4R008NH,L1Q
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: TPH4R008NH,L1Q PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 19449 pcs
参考価格: USD 1.3013/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

TPH4R008NH,L1Q 詳細な説明

品番	TPH4R008NH,L1Q
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	80V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	60A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	59nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	5300pF @ 40V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	4 mOhm @ 30A, 10V
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
重量	-
原産国	-

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