TPH4R10ANL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

品番	TPH4R10ANL,L1Q
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	92A (Ta), 70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	4.1 mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	75nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	6.3nF @ 50V
FET機能	-
消費電力（最大）	2.5W (Ta), 67W (Tc)
動作温度	150°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
TPH4R003NL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP	詳細
TPH4R008NH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV	詳細
TPH4R10ANL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	詳細
TPH4R50ANH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV	詳細
TPH4R606NH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV	詳細