TPH4R008NH,L1Q

TPH4R008NH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TPH4R008NH,L1Q
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TPH4R008NH,L1Q PDF-Online-Browsing
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
20740 pcs
Referenzpreis
USD 1.3013/pcs
Unser Preis
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TPH4R008NH,L1Q detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TPH4R008NH,L1Q
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5300pF @ 40V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP Advance (5x5)
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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