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TK9J90E,S1E - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: TK9J90E,S1E
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: MOSFET N-CH 900V TO-3PN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: TK9J90E,S1E PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 3412 pcs
参考価格: USD 3.5/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

TK9J90E,S1E 詳細な説明

品番	TK9J90E,S1E
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	900V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	9A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 900µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	46nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2000pF @ 25V
Vgs（最大）	±30V
FET機能	-
消費電力（最大）	250W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-3P(N)
パッケージ/ケース	TO-3P-3, SC-65-3
重量	-
原産国	-

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