TK9J90E,S1E - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK9J90E,S1E
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	900V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	9A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 900µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	46nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-3P(N)
Paquet / cas	TO-3P-3, SC-65-3
Poids	-
Pays d'origine	-