TK65G10N1,RQ

TK65G10N1,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
TK65G10N1,RQ
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
17938 pcs
参考価格
USD 1.4307/pcs
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TK65G10N1,RQ 詳細な説明

品番 TK65G10N1,RQ
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 65A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 81nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5400pF @ 50V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 156W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 4.5 mOhm @ 32.5A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 -
原産国 -

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