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TK65G10N1,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: TK65G10N1,RQ
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: TK65G10N1,RQ PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 18850 pcs
参考価格: USD 1.4307/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

TK65G10N1,RQ 詳細な説明

品番	TK65G10N1,RQ
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	65A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	81nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	5400pF @ 50V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	156W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	4.5 mOhm @ 32.5A, 10V
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	D2PAK
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量	-
原産国	-

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