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TK65E10N1,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: TK65E10N1,S1X
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: MOSFET N CH 100V 148A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: TK65E10N1,S1X PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 2582 pcs
参考価格: USD 2.93/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

TK65E10N1,S1X 詳細な説明

品番	TK65E10N1,S1X
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	148A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	81nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	5400pF @ 50V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	192W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	4.8 mOhm @ 32.5A, 10V
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220
パッケージ/ケース	TO-220-3
重量	-
原産国	-

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