TK65E10N1,S1X detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
TK65E10N1,S1X |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
N-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
148A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
81nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
5400pF @ 50V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
192W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
4.8 mOhm @ 32.5A, 10V |
| Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Through Hole |
| Lieferantengerätepaket |
TO-220 |
| Paket / Fall |
TO-220-3 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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