TK65G10N1,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TK65G10N1,RQ
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	65A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	81nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5400pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 32.5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TK65015MTL	TOKO	TK65015MTL TOKO SOT-6 New Original Stocks	Dettagli
TK65025MTL	Diodes Incorporated	IC REG BUCK ADJ 3.5A SYNC 12QFN	Dettagli
TK650A60F,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-	Dettagli
TK65A10N1,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 100V 65A TO-220	Dettagli
TK65E10N1,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 100V 148A TO220	Dettagli
TK65G10N1,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK	Dettagli
TK65S04K3L(T6L1,NQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3	Dettagli
TK65S04N1L,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 65A DPAK	Dettagli