| 品番 | TJ8S06M3L(T6L1,NQ) |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 6V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 19nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 890pF @ 10V |
| Vgs（最大） | +10V, -20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 27W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 104 mOhm @ 4A, 10V |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK+ |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3 | 詳細 |
