TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

TJ8S06M3L(T6L1,NQ) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
51151 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.5082/pcs
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Description détaillée

Numéro d'article TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 890pF @ 10V
Vgs (Max) +10V, -20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 104 mOhm @ 4A, 10V
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur DPAK+
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

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