TJ8S06M3L(T6L1,NQ) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte: TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data: New
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Numero di parte	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 10V
Vgs (massimo)	+10V, -20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	104 mOhm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK+
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3	Dettagli