| 品番 | TC58BYG2S0HBAI6 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| メモリの種類 | Non-Volatile |
| メモリフォーマット | EEPROM |
| 技術 | EEPROM - NAND |
| メモリー容量 | 4Gb (512M x 8) |
| クロック周波数 | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 25ns |
| アクセス時間 | 25ns |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| 電圧 - 供給 | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 67-VFBGA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 67-VFBGA (6.5x8) |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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