TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6 - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
TC58BYG2S0HBAI6
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67VFBGA
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Memoria
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
585 pcs
Precio de referencia
USD 4.47/pcs
Nuestro precio
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TC58BYG2S0HBAI6 Descripción detallada

Número de pieza TC58BYG2S0HBAI6
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria EEPROM
Tecnología EEPROM - NAND
Tamaño de la memoria 4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 25ns
Tiempo de acceso 25ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 1.7 V ~ 1.95 V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 67-VFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor 67-VFBGA (6.5x8)
Peso -
País de origen -

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