TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0 - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
TC58BVG1S3HTAI0
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
メモリ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
5 pcs
参考価格
USD 3.13/pcs
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TC58BVG1S3HTAI0 詳細な説明

品番 TC58BVG1S3HTAI0
部品ステータス Active
メモリの種類 Non-Volatile
メモリフォーマット EEPROM
技術 EEPROM - NAND
メモリー容量 2Gb (256M x 8)
クロック周波数 -
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 25ns
アクセス時間 25ns
メモリインターフェイス Parallel
電圧 - 供給 2.7 V ~ 3.6 V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 48-TSOP I
重量 -
原産国 -

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