SSM6K217FE,LF

SSM6K217FE,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
SSM6K217FE,LF
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
8775 pcs
参考価格
USD 0.44/pcs
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SSM6K217FE,LF 詳細な説明

品番 SSM6K217FE,LF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.8A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.8V, 8V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.2V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 1.1nC @ 4.2V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 130pF @ 10V
Vgs(最大) ±12V
FET機能 -
消費電力(最大) 500mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 195 mOhm @ 1A, 8V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ ES6
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666
重量 -
原産国 -

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