SSM6K217FE,LF

SSM6K217FE,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
SSM6K217FE,LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
8775 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.44/pcs
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SSM6K217FE,LF Description détaillée

Numéro d'article SSM6K217FE,LF
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.8A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.2V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 130pF @ 10V
Vgs (Max) ±12V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195 mOhm @ 1A, 8V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur ES6
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Poids -
Pays d'origine -

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