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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス › RN1413(TE85L,F)
RN1413(TE85L,F)

RN1413(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
RN1413(TE85L,F)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
RN1413(TE85L,F) PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
7500 pcs
参考価格
USD 0.0295/pcs
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RN1413(TE85L,F) 詳細な説明

品番 RN1413(TE85L,F)
部品ステータス Active
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 50V
抵抗器 - ベース（R1）（オーム） 47k
抵抗器 - エミッタベース（R2）（オーム） -
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタ遮断（最大） 100nA (ICBO)
周波数 - 遷移 250MHz
電力 - 最大 200mW
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤデバイスパッケージ S-Mini
重量 -
原産国 -

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