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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › RN1413(TE85L,F)
RN1413(TE85L,F)

RN1413(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
RN1413(TE85L,F)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RN1413(TE85L,F) PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7500 pcs
Referenzpreis
USD 0.0295/pcs
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RN1413(TE85L,F) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RN1413(TE85L,F)
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 47k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket S-Mini
Gewicht -
Ursprungsland -

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