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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › RN1413(TE85L,F)
RN1413(TE85L,F)

RN1413(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
RN1413(TE85L,F)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
RN1413(TE85L,F) Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
7500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0295/pcs
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RN1413(TE85L,F) Descrizione dettagliata

Numero di parte RN1413(TE85L,F)
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 47k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione 250MHz
Potenza - Max 200mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore S-Mini
Peso -
Paese d'origine -

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