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GT60N321(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: GT60N321(Q)
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: GT60N321(Q) PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: GT60N321(Q).pdf
カテゴリー: トランジスタ - IGBT - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 4273 pcs
参考価格: USD 0/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

GT60N321(Q) 詳細な説明

品番	GT60N321(Q)
部品ステータス	Obsolete
IGBTタイプ	-
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大）	1000V
電流 - コレクタ（Ic）（最大）	60A
電流 - コレクタパルス（Icm）	120A
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic	2.8V @ 15V, 60A
電力 - 最大	170W
スイッチングエネルギー	-
入力方式	Standard
ゲートチャージ	-
Td（オン/オフ）@ 25℃	330ns/700ns
テスト条件	-
逆回復時間（trr）	2.5µs
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
パッケージ/ケース	TO-3PL
サプライヤデバイスパッケージ	TO-3P(LH)
重量	-
原産国	-

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