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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › GT60N321(Q)
GT60N321(Q)

GT60N321(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
GT60N321(Q)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
GT60N321(Q) Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
GT60N321(Q).pdf
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3828 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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GT60N321(Q) Description détaillée

Numéro d'article GT60N321(Q)
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1000V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A
Puissance - Max 170W
Échange d'énergie -
Type d'entrée Standard
Charge de porte -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 330ns/700ns
Condition de test -
Temps de récupération inverse (trr) 2.5µs
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-3PL
Package de périphérique fournisseur TO-3P(LH)
Poids -
Pays d'origine -

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