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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - シングル › GT10J312(Q)
GT10J312(Q)

GT10J312(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
GT10J312(Q)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
GT10J312(Q) PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
GT10J312(Q).pdf
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4068 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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メールで送信：[email protected]

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GT10J312(Q) 詳細な説明

品番 GT10J312(Q)
部品ステータス Obsolete
IGBTタイプ -
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 600V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 10A
電流 - コレクタパルス（Icm） 20A
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.7V @ 15V, 10A
電力 - 最大 60W
スイッチングエネルギー -
入力方式 Standard
ゲートチャージ -
Td（オン/オフ）@ 25℃ 400ns/400ns
テスト条件 300V, 10A, 100 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） 200ns
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤデバイスパッケージ TO-220SM
重量 -
原産国 -

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