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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › GT10J312(Q)
GT10J312(Q)

GT10J312(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
GT10J312(Q)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
GT10J312(Q) Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
GT10J312(Q).pdf
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3646 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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GT10J312(Q) Description détaillée

Numéro d'article GT10J312(Q)
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 10A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Puissance - Max 60W
Échange d'énergie -
Type d'entrée Standard
Charge de porte -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 400ns/400ns
Condition de test 300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 200ns
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur TO-220SM
Poids -
Pays d'origine -

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