GT10G131(TE12L,Q)

GT10G131(TE12L,Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
GT10G131(TE12L,Q)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
IGBT 400V 1W 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - IGBT - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3508 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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GT10G131(TE12L,Q) 詳細な説明

品番 GT10G131(TE12L,Q)
部品ステータス Obsolete
IGBTタイプ -
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 400V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) -
電流 - コレクタパルス(Icm) 200A
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 2.3V @ 4V, 200A
電力 - 最大 1W
スイッチングエネルギー -
入力方式 Standard
ゲートチャージ -
Td(オン/オフ)@ 25℃ 3.1µs/2µs
テスト条件 -
逆回復時間(trr) -
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP (5.5x6.0)
重量 -
原産国 -

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