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ホーム › 製品カテゴリ › 集積回路（IC） › メモリ › TC58BYG1S3HBAI4
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4 - Toshiba Memory America, Inc.

品番
TC58BYG1S3HBAI4
メーカー
Toshiba Memory America, Inc.
簡単な説明
2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
TC58BYG1S3HBAI4 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
メモリ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
34410 pcs
参考価格
USD 5.32/pcs
私達の価格
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TC58BYG1S3HBAI4 詳細な説明

品番 TC58BYG1S3HBAI4
部品ステータス Active
メモリの種類 Non-Volatile
メモリフォーマット FLASH
技術 FLASH - NAND (SLC)
メモリー容量 2Gb (256M x 8)
クロック周波数 -
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 25ns
アクセス時間 -
メモリインターフェイス -
電圧 - 供給 1.7V ~ 1.95V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 63-VFBGA
サプライヤデバイスパッケージ 63-TFBGA (9x11)
重量 -
原産国 -

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